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2019-04-03
剩余電流斷路器測試儀是采用高性能微處理器控制的電容漏電流測試儀。數(shù)控測試電壓：1V～650V，6量程測試，使漏電流精度提高到2%，它可以測試10nA～20mA的電流，顯示位數(shù)1999數(shù)。測試速度可達15次/秒，超高速測試為自動化生產(chǎn)提供了方案，并且可*替代模擬指針表。剩余電流斷路器測試儀擁有分選功能，分選訊響設(shè)置，還可配備Hler接口，應(yīng)用于自動分選系統(tǒng)完成全自動流水線測試。并可選配RS232C接口，用于遠程控制和數(shù)據(jù)采集與分析。剩余電流斷路器測試儀的性能特征：●高亮度，超清...2019-04-03
剩余電流斷路器測試儀輸出的電流值為真有效值剩余電流斷路器測試儀是為剩余電流斷路器的性能測試而研制，它是檢測B型剩余電流斷路器脫扣電流和分斷時間的關(guān)鍵儀器。剩余電流斷路器測試儀的功能能夠滿足GB16916.1-2003、GB16917.1-2003和GB22974-2008標準對剩余電流斷路器的測試要求。剩余電流斷路器測試儀適用于電子式和電磁式的剩余電流斷路器。1P+N、2P、3P、3P+N、4P的斷路器均能測試，輸出剩余電流為2A。剩余電流斷路器測試儀的功能操作采用觸摸屏，斷...2019-04-01
絕緣材料耐電弧arcresistance試驗定義及設(shè)備定義下列定義適用于本標準。失效failure當(dāng)被試材料內(nèi)形成導(dǎo)電通道時,認為材料已經(jīng)失效。如果電弧引起某一材料燃燒和當(dāng)電弧被切斷后材料還繼續(xù)燃燒,則也認為材料已經(jīng)失效。注1:當(dāng)電弧放電因深人材料內(nèi)部而消失時,問路電流通常會發(fā)生變化且聲音發(fā)生明顯改變。注2:對某些材料,在電極間電弧全部熄滅前,在相當(dāng)長的時間范B內(nèi).朝失效發(fā)展的趨勢增加僅當(dāng)電弧已熄滅才發(fā)生失效。注3:對某些材料，在電弧已經(jīng)熄滅之后,在能近電極處可能觀察到持續(xù)的...2019-04-01
試驗前準備：1.連接電源線、數(shù)據(jù)線、接地線2.檢查電源線、數(shù)據(jù)線、接地線是否連接好3.連接好之后，打開電源總開關(guān)預(yù)熱15分鐘4.打開計算機系統(tǒng)，雙擊電壓擊穿試驗儀軟件的快捷圖標，進入試驗操作界面。交直流試驗切換：1、本儀器高壓輸出為交流電壓。直流的獲得方式為在原回路中串入高壓硅堆，使測試回路為脈動的直流電壓。實現(xiàn)的過程為，硅堆已經(jīng)在高壓變壓器的高壓絕緣塔中，平時用一個短路桿把高壓硅堆短接。需要直流試驗時，取出短路桿，使高壓硅堆接入測試電路中，這時回路的電壓為脈動的直流電壓。2...2019-03-29
沖擊電壓試驗儀主要是根據(jù)GB17627、GB14048、GB7251、GB/T16935、IEC61730、GB4706、GB3048、GB/T22387等標準要求，主要用于低壓成套、低壓電器、高低壓開關(guān)、電度表、電線電纜、漏電保護器、太陽能等產(chǎn)品的安全性能（介電性能）檢測。是低壓成套、低壓電器企業(yè)的“3C”認證出廠檢驗設(shè)備。沖擊電壓試驗儀的特點：手動/自動/程控模式；手動模式通過調(diào)節(jié)旋鈕手動調(diào)節(jié)沖擊電壓，自動模式?jīng)_擊電壓值由系統(tǒng)自動調(diào)節(jié)，程控模式使用計算機自動控制沖擊電壓值...2019-03-25
絕緣材料耐電弧試驗范圍及國標參數(shù)1，范圍本標準敘述的試驗方法能夠提供同類絕緣材料當(dāng)其被暴鯡于高電壓小電流電弧放電時,它們之間耐受發(fā)生在緊靠表面損壞情況的初步差異。電弧放電引起局部熱的和化學(xué)的分解與腐蝕并終在絕緣材料上形成導(dǎo)電通道。試驗條件的嚴酷程度是逐漸增加的:開始幾個階段,小電流電弧放電反復(fù)中斷,而到了后來幾個階段,電弧電流逐級增大。由于本試驗方法操作方便和試驗所需要的時間短,因此,它適用于材料初步篩選、檢查材料組分變化的影響和質(zhì)量控制檢驗。過去使用本試驗方法的經(jīng)驗表明,熱...2019-03-25
新材料電阻率測定直排四探針法——測量程序及測量條件5測量程序5.1測量條件5.1.1環(huán)境溫度為23±5℃，相對濕度不大于65%.5.1.2電磁屏蔽。5.1.3高阻試樣應(yīng)在光屏蔽條件下測量。5.1.4試樣中電場強度不能過大，以避免少數(shù)載流子注入。如果使用的電流適當(dāng)，則用該電流的兩倍或一半時，引起電阻率的變化應(yīng)小于0.5%5.2確定探針間距與探針狀態(tài)5.2.1將四探針以正常壓力壓在嚴格固定的拋光硅片表面上，形成一組壓痕.提起探針，在垂直于探針尖連線方向上移動硅片表面...
京公網(wǎng)安備11011302007502號